IBM stellt Halbleitertransistor im 0,7-Nanometer-Bereich vor26. Juni 202626. Juni 2026AI ModelsIBM verdoppelt die Transistordichte durch vertikales Stacking auf 0,7 Nanometer und erwartet damit bis zu 70 Prozent Energieeinsparung — Serienreife in etwa fünf Jahren. Share on: